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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI3981DV-T1-E3
SI3981DV-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥262.59858

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥262.59858

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SI3983DV-T1-E3
SI3983DV-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.96719

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SIA907EDJT-T1-GE3
SIA907EDJT-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.20088

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SI3993DV-T1-E3
SI3993DV-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥205.17687

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥205.17687

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SI4330DY-T1-E3
SI4330DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥199.32461

9000

5-7 工作日

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合计: ¥199.32461

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SI4340DY-T1-E3
SI4340DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A, 9.9A 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥780.19070

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥780.19070

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SIA778DJ-T1-GE3
SIA778DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.60744

634

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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SI4388DY-T1-E3
SI4388DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A、11.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.66107

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.66107

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SI4500BDY-T1-E3
SI4500BDY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A, 3.8A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥7.54710

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.54710

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SI1926DL-T1-BE3
SI1926DL-T1-BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 340毫安 (Ta), 370毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.11445

554

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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SI1900DL-T1-GE3
SI1900DL-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 (Ta), 590毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.63546

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.63546

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SI4501ADY-T1-E3
SI4501ADY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 4.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.03914

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.03914

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SIA913ADJ-T1-GE3
SIA913ADJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.70789

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SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A, 4.6A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥6.44618

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.44618

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SI9945AEY-T1
SI9945AEY-T1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥678.08030

9000

5-7 工作日

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合计: ¥678.08030

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SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.7A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.70789

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SI4563DY-T1-E3
SI4563DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.28684

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.28684

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SI4565ADY-T1-E3
SI4565ADY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A, 5.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.06043

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.06043

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SI4567DY-T1-E3
SI4567DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A, 4.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.95270

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.95270

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SI1034X-T1-GE3
SI1034X-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

88

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合计: ¥3.47659

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