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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI7220DN-T1-GE3
SI7220DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.39937

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SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

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5-7 工作日

- +

合计: ¥5.28732

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SIZ340BDT-T1-GE3
SIZ340BDT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.9A(Ta)、36A(Tc)、25.3A(Ta 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

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合计: ¥5.64946

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SQ4917EY-T1_GE3
SQ4917EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥13.97880

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.97880

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SQJ946EP-T1_GE3
SQJ946EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.95318

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.95318

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SI4804CDY-T1-GE3
SI4804CDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.64946

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SI4554DY-T1-GE3
SI4554DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.93918

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SQJB70EP-T1_GE3
SQJB70EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.24290

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SI1965DH-T1-BE3
SI1965DH-T1-BE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.83874

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SI1902DL-T1-BE3
SI1902DL-T1-BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 660毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.98360

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SI5922DU-T1-GE3
SI5922DU-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.40425

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合计: ¥8,425.51800

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SI7252DP-T1-GE3
SI7252DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36.7 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.44138

0

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合计: ¥16.44138

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SI1036X-T1-GE3
SI1036X-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 610毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-89-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.18688

0

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合计: ¥3.18688

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SI1023CX-T1-GE3
SI1023CX-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.40416

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SQ3985EV-T1_BE3
SQ3985EV-T1_BE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SI1905DL-T1-E3
SI1905DL-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 570毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.03530

9000

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合计: ¥17.03530

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SIA911ADJ-T1-GE3
SIA911ADJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.48190

0

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合计: ¥4,445.69100

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SI7220DN-T1-E3
SI7220DN-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.97640

0

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合计: ¥18.97640

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SI1912EDH-T1-E3
SI1912EDH-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.13A 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.59152

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.59152

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SI1913DH-T1-E3
SI1913DH-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

9000

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合计: ¥6.88076

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