•无卤素，符合IEC 61249-2-21
释义
•TrenchFET®第三代功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®
SC-70包装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•符合RoHS指令2002/95/EC
应用：
•智能手机的负载开关和电池管理，
平板电脑和便携式媒体播放器
•快速电池充电
（图片：引线/示意图）
SIA929DJ-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.85274 | 4.85274 |
| 10+ | 4.25882 | 42.58825 |
| 100+ | 3.26509 | 326.50990 |
| 500+ | 2.58137 | 1290.68500 |
| 1000+ | 2.06509 | 2065.09600 |
| 3000+ | 1.93602 | 5808.08100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.85274
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.85
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21nC @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Tc)
- 最大功率 7.8W
- 包装/外壳 PowerPAKSC-70-6双
- 供应商设备包装 PowerPAKSC-70-6双
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 575皮法 @ 15V
- 导通电阻 Rds(ON) 64毫欧姆 @ 3A, 10V
SIA929DJ-T1-GE3 产品详情
特征：
•无卤素，符合IEC 61249-2-21
释义
•TrenchFET®第三代功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®
SC-70包装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•符合RoHS指令2002/95/EC
应用：
•智能手机的负载开关和电池管理，
平板电脑和便携式媒体播放器
•快速电池充电
•无卤素，符合IEC 61249-2-21
释义
•TrenchFET®第三代功率MOSFET
•热增强型PowerPAK®
SC-70包装
-占地面积小
-低导通电阻
•100%Rg测试
•符合RoHS指令2002/95/EC
应用：
•智能手机的负载开关和电池管理，
平板电脑和便携式媒体播放器
•快速电池充电
SIA929DJ-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIA918EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA928DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18436 |
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37977 |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | SIA533EDJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SIA911ADJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.4819 |
 | SIA907EDJT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | SIA778DJ-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 |
SIA929DJ-T1-GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SIA929DJ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIA929DJ-T1-GE3价格参考￥4.852743，你可以下载 SIA929DJ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIA929DJ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
