9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA911EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA911EDJ-T1-GE3参考价格为0.62美元。Vishay Siliconix SIA911EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA911EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA911DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于PowerPAKR SC-70-6 Dual的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装，该器件也可以用作2P信道（双）FET类型。此外，最大功率为6.5W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有355pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为94 mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12.8nC@8V。
SIA911DJ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如94 mOhm@2.8A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有355pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为12.8nC@8V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为4.5A。
SIA911DJ-T5-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA911DJ-T5-GE3采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
