9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA913DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA913DJ-T1-GE3参考价格为0.218美元。Vishay Siliconix SIA913DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA913DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA913ADJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA913ADJ-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为6.5W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为590pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为61 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@8V，Pd功耗为1.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为50毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30纳秒，典型开启延迟时间为20ns，信道模式为增强。
SIA912DJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如40 mOhm@4.2A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有400pF@6V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11.5nC@8V，FET类型为2N信道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA912DJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA912DJ提供SC70-6L（QFN）封装，是FET阵列的一部分。
