HSS0127
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：900mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,800mA
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.59378 | 0.59378 |
| 10+ | 0.48869 | 4.88693 |
| 30+ | 0.43614 | 13.08438 |
| 100+ | 0.39673 | 39.67300 |
| 600+ | 0.36520 | 219.12120 |
- 库存: 3415
- 单价: ¥0.59379
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.59
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 900mA
- 功率(Pd) 1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 650mΩ@10V,800mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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HSS0127所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSS0127 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSS0127价格参考￥0.593787，你可以下载 HSS0127中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSS0127规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
