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AO3407A

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 华朔 (HUASHUO)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 0.21911 21.91190
1000+ 0.20671 206.71200
3000+ 0.18397 551.93100
10000+ 0.14168 1416.86000
50000+ 0.13367 6683.75000
  • 库存: 120000
  • 单价: ¥0.42588
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A (Ta)
  • 制造厂商 华朔 (HUASHUO)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 830 pF @ 15 V
  • 最大功耗 1.4W(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 48毫欧姆 @ 4.3A, 10V
  • 色彩/颜色 -

AO3407A 产品详情

AO3407A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AO3407A 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AO3407A价格参考¥0.425883,你可以下载 AO3407A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AO3407A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华朔 (HUASHUO)

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华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技,制造新产品,设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压,中压,低压全系列Power Mosfet分立器件,...

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