HSS2310A
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.44682 | 0.44682 |
| 10+ | 0.36457 | 3.64571 |
| 30+ | 0.32344 | 9.70338 |
| 300+ | 0.26141 | 78.42330 |
| 600+ | 0.23673 | 142.04040 |
| 900+ | 0.22440 | 201.96000 |
- 库存: 12020
- 单价: ¥0.44682
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.45
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 2.3A
- 功率(Pd) 1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 5nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 511pF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@15V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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HSS2310A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSS2310A 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSS2310A价格参考￥0.446822，你可以下载 HSS2310A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSS2310A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
