品牌介绍
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，以及特殊制程的IC Design in House。产品广泛应用于计算机，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。 华朔以追求绿色节能，高效可靠的产品态度，我们的使命就是为客户及员工创造价值。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.42588 | 5987 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.42588 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：900mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,800mA | ¥0.59379 | 3415 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.59379 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：27A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,8A | ¥1.49245 | 25615 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.49245 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,5A | ¥0.97444 | 11265 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.97444 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,2.5A | ¥1.20239 | 8610 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.20239 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1.5A | ¥0.51871 | 17500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.51871 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,1A | ¥0.35527 | 6010 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35527 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥0.44682 | 12020 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44682 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥1.18768 | 9046 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18768 | 立即购买 加入购物车 | |
| | ¥2.88340 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.88340 | 立即购买 加入购物车 | ||
| | ¥0.78586 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.78586 | 立即购买 加入购物车 | ||
| | ¥1.17480 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.17480 | 立即购买 加入购物车 |