HSBB0012
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.97443 | 0.97443 |
10+ | 0.78022 | 7.80220 |
30+ | 0.69698 | 20.90952 |
100+ | 0.59304 | 59.30490 |
600+ | 0.54681 | 328.08600 |
1200+ | 0.51906 | 622.87440 |
- 库存: 11265
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 20A
- 功率(Pd) 21W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 105mΩ@10V,5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
HSBB0012所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HSBB0012 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HSBB0012价格参考¥0.974438,你可以下载 HSBB0012中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HSBB0012规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技,制造新产品,设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压,中压,低压全系列Power Mosfet分立器件,...