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HSBB0012
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HSBB0012

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,5A
  • 品牌: 华朔 (HUASHUO)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.97443 0.97443
10+ 0.78022 7.80220
30+ 0.69698 20.90952
100+ 0.59304 59.30490
600+ 0.54681 328.08600
1200+ 0.51906 622.87440
  • 库存: 11265
  • 单价: ¥0.97444
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  • 总计: ¥0.97
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 20A
  • 功率(Pd) 21W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 105mΩ@10V,5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
HSBB0012所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HSBB0012 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HSBB0012价格参考¥0.974438,你可以下载 HSBB0012中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HSBB0012规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技,制造新产品,设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压,中压,低压全系列Power Mosfet分立器件,...

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