HSU4103
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：27A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,8A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.49245 | 1.49245 |
| 10+ | 1.21436 | 12.14366 |
| 30+ | 1.09519 | 32.85576 |
| 100+ | 0.92557 | 92.55700 |
| 500+ | 0.85935 | 429.67800 |
| 1000+ | 0.81962 | 819.62800 |
- 库存: 25615
- 单价: ¥1.49245
-
数量:
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- 总计: ¥1.49
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 27A
- 功率(Pd) 35W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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HSU4103所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSU4103 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSU4103价格参考￥1.492450，你可以下载 HSU4103中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSU4103规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
