HSU100P04
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.24421 | 5.24421 |
| 10+ | 4.29836 | 42.98364 |
| 30+ | 3.82543 | 114.76317 |
| 100+ | 3.35251 | 335.25140 |
| 500+ | 3.06875 | 1534.37950 |
| 1000+ | 2.92162 | 2921.62700 |
- 库存: 4734
- 单价: ¥5.24422
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.24
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 功率(Pd) 52.1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.6mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 115nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 7.09nF@20V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 722pF@20V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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HSU100P04所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSU100P04 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSU100P04价格参考￥5.244215，你可以下载 HSU100P04中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSU100P04规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
