HSU0139
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,10A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.96206 | 3.96206 |
| 10+ | 3.32098 | 33.20986 |
| 30+ | 2.99519 | 89.85579 |
| 100+ | 2.67990 | 267.99090 |
| 500+ | 2.28055 | 1140.27500 |
| 1000+ | 2.18596 | 2185.96500 |
- 库存: 2656
- 单价: ¥3.96206
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.96
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 30A
- 功率(Pd) 102W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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HSU0139所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSU0139 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSU0139价格参考￥3.962062，你可以下载 HSU0139中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSU0139规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
