HSST3139
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,1A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.35527 | 0.35527 |
| 10+ | 0.29221 | 2.92215 |
| 30+ | 0.26068 | 7.82058 |
| 300+ | 0.22432 | 67.29810 |
| 600+ | 0.20541 | 123.24960 |
- 库存: 6010
- 单价: ¥0.35527
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.36
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 1A
- 功率(Pd) 750mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 230mΩ@4.5V,1A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
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HSST3139所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSST3139 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSST3139价格参考￥0.355271，你可以下载 HSST3139中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSST3139规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
