NTJD1155LT1G

Name: NTJD1155LT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7121598-NTJD1155LT1G
Price: 1.839037 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
10+	1.83903	18.39037
100+	1.61319	161.31970
500+	1.41507	707.53700
1000+	1.19774	1197.74400
3000+	1.08886	3266.58300

库存: 1160
单价: ¥1.83904
数量:
- +
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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
场效应管特性标准
漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A
漏源电压标 (Vdss) 8V
最大功率 400mW
供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
导通电阻 Rds(ON) 175毫欧姆@1.2A，4.5V

NTJD1155LT1G 产品详情

双N/P沟道MOSFET，ON半导体

NTJD1155LT1G是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。

特色

极低RDS（on）P沟道负载开关MOSFET
电平移位MOSFET受ESD保护
小尺寸、小尺寸封装
VIN范围1.8至8.0 V
开/关范围1.5至8.0 V

应用

集成式高压侧负载开关，内置电平转换
便携式设备
手机
数码相机
PDA
媒体播放器

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
NTJD5121NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.30203
NTJD4001NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.80614
NTJD4401NT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.18688
NTJD4152PT1G	台舟 (TECH PUBLIC)	场效应管类型: 2个P通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥0.81243
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NTJD4152PT2G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个P通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.04202
NTJD4158CT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.25931
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NTJD1155LT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD1155LT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD1155LT1G价格参考￥1.839037，你可以下载 NTJD1155LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD1155LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！