特色
- 极低RDS（on）P沟道负载开关MOSFET
- 电平移位MOSFET受ESD保护
- 小尺寸、小尺寸封装
- VIN范围1.8至8.0 V
- 开/关范围1.5至8.0 V
应用
- 集成式高压侧负载开关，内置电平转换
- 便携式设备
- 手机
- 数码相机
- PDA
- 媒体播放器
（图片：引出线）
NTJD1155LT1
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥5.54806
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.55
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A
- 漏源电压标 (Vdss) 8V
- 最大功率 400mW
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 导通电阻 Rds(ON) 175毫欧姆@1.2A，4.5V
NTJD1155LT1 产品详情
NTJD1155LT1将P和N沟道MOSFET集成在一个封装中。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件专门设计为使用ON Semiconductor最先进沟槽技术的负载开关。N沟道具有外部电阻器（R1），N沟道MOSFET具有内部ESD保护，可由低至1.5 V的逻辑信号驱动。NTJD1155LT1在1.8至8.0 V的电源线上工作，可驱动高达1.3 a的负载，同时向VIN和VON/OFF施加8.0 V电压。
NTJD1155LT1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.30203 |
 | NTJD4001NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80614 |
 | NTJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTJD4152PT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81243 |
 | NTJD4105CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTJD4152PT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 |
 | NTJD4158CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安、880毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
 | NTJD5121NT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | NTJD4105CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | NTJD4401NT2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 | ¥0.507 |
NTJD1155LT1所属分类：场效应晶体管阵列，NTJD1155LT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTJD1155LT1价格参考￥5.548061，你可以下载 NTJD1155LT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTJD1155LT1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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