9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTJD2152PT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTJD2152PT4G参考价格为0.57美元。onsemi NTJD2152PT4G封装/规格：MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363。您可以下载NTJD2152PT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTJD2152PT2是MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-3633封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能，供应商设备封装设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363以及2 P通道（双）FET型，该器件还可以用作270mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为8V，该器件提供225pF@8V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为775mA，最大Id Vgs的Rds为300 mOhm@570mA，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@4.5V。
NTJD2152PT2G是MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于300 mOhm@570mA，4.5V，提供270mW等最大功率特性，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及6-TSSOP、SC-88、，SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供225pF@8V输入电容Cis Vds，该器件具有4nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为8V，25°C电流连续漏极Id为775mA。
NTJD2152PT4是MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363，包括775mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于8V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于4nC@4.5V，除了225pF@8V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为270mW，最大Id Vgs的Rds为300 mOhm@570mA，4.5V，供应商设备包为SC-88/SC70-6/SOT-363，Vgs th Max Id为1V@250μA。
