特色
- 6.6A，800V，RDS（开启）=1.5Ω（最大值）@VGS=10 V，ID=3.3A
- 低栅极电荷（典型值40nC）
- 低铬（典型值19pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 照明
FQI7N80TU
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、167W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.87355 | 21.87355 |
| 10+ | 19.62825 | 196.28259 |
| 100+ | 16.08141 | 1608.14110 |
| 500+ | 13.68980 | 6844.90250 |
| 1000+ | 13.11993 | 13119.93400 |
- 库存: 4995
- 单价: ¥21.87356
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.87
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 包装/外壳 TO-262-3长引线，我巴基斯坦，TO-262AA
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.6A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 I2PAK (TO-262)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@3.3A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1850 pF@25 V
- 最大功耗 3.13W（Ta）、167W（Tc）
- 色彩/颜色 -
FQI7N80TU 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | FQI19N20TU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.4A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、140W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | |
 | FQI16N25CTU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.6A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、139W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | |
 | FQI5N30TU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、70W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | |
 | FQI6N60CTU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | |
 | FQI7N10LTU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 40W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | |
 | FQI11P06TU | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、53W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | |
 | FQI5P10TU | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 40W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | |
 | FQI17N08LTU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 65W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | |
 | FQI10N20CTU | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Tc) 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 |
FQI7N80TU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQI7N80TU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQI7N80TU价格参考￥21.873558，你可以下载 FQI7N80TU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQI7N80TU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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