9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQI9N08TU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQI9N08TU参考价格$3.032。onsemi FQI9N08TU封装/规格：MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK。您可以下载FQI9N08TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQI8N60CTU是MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK，包括管封装，它们设计为与FQI8N80CTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为64.5 ns，上升时间为60.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为81ns，典型接通延迟时间为16.5ns，正向跨导最小值为8.7S，沟道模式为增强。
FQI85N06，带有FAI制造的用户指南。FQI85N06在TO262封装中提供，是IC芯片的一部分。
FQI8N60是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK。FQI8N60可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK。
FQI8N60C，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQI8N60C采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
