9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQI27N25TU-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQI27N25TU-F085参考价格为3.754美元。onsemi FQI27N25TU-F085封装/规格：MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK。您可以下载FQI27N25TU-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FQI27N25TU是MOSFET 250V N沟道QFET，包括管封装，它们设计为与FQI27N2 5TU_NL部件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在I2PAK-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为25.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为32ns，正向跨导最小值为24S，沟道模式为增强。
FQI19N20TU是FSC制造的MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK。FQI19N20TU采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK、N沟道200V 19.4 A（Tc）3.13W（Ta）、140W（Tc）通孔I2PAK。
FQI27N25，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQI27N25在TO-262封装中提供，是FET的一部分-单个。
