9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQI27P06TU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQI27P06TU参考价格$1.76。onsemi FQI27P06TU封装/规格：MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK。您可以下载FQI27P06TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQI27N25TU是MOSFET 250V N沟道QFET，包括管封装，它们设计为与FQI27N2 5TU_NL部件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在I2PAK-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为25.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为32ns，正向跨导最小值为24S，沟道模式为增强。
FQI27N25TU_F085和用户指南，包括250 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-262-3，该器件提供1信道信道数，该器件具有25.5 a的Id连续漏电流。
FQI27N25，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQI27N25在TO-262封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQI27P06是FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK。FQI27P06在TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK。
