分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 23 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.47419 | 2648 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.47419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 938 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-46 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥110.88880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110.88880 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 349 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥62.39459 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥62.39459 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥121.04782 | 48 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥121.04782 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.95174 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.95174 | 立即购买 加入购物车 | ||
IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | ¥20.88227 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,252.93638 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥36.73052 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,260.74032 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 454 W 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥46.48329 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥46.48329 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 159 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥43.22536 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43.22536 | 立即购买 加入购物车 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.44378 | 3987 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥50.53610 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,160.83090 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥57.49414 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.49414 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥118.70606 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥118.70606 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 254 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥43.96440 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.96440 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 240 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: TO-264 (IXYK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥193.67515 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥193.67515 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | ¥20.87176 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,461.02348 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.57251 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,268.70060 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 32瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.12126 | 960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.12126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥31.79633 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.79633 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.74633 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.74633 | 立即购买 加入购物车 |