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什么是分立半导体:

分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管，以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路，或用于实现非常基本的电路功能。

应用及使用:
通用放大
超级电容器自动平衡
一般用途
电流镜
放大器
栅极驱动器
高频
线性放大器偏置
负载开关
CCD输出电路
驱动器
电源开关电路
更多
额定电压:
12V PNP, 30V N Channel
10.6伏
20V NPN, 40V N Channel
20V PNP, 12V P-Channel
45V NPN，45V NPN
12V NPN, 30V N Channel
20伏
40伏
30伏
120伏
50V NPN, 15V N-Channel
50V
12V PNP, 30V N-Channel
60V
50V NPN, 45V NPN
40V PNP, 30V N-Channel
12V NPN, 30V N-Channel
1700伏（1.7千伏）
45V PNP, 50V N-Channel
40V PNP, 60V N-Channel
45V NPN, 50V N-Channel
20V NPN, 40V N-Channel
900V
1500V（1.5千伏）
45伏
50V PNP, 60V N-Channel
12伏、30伏
250伏
55V
65V
1200V（1.2千伏）
50V PNP, 30V N Channel
25V PNP, 20 N-Channel
35V PNP, 20V P-Channel
40V NPN, 50V P-Channel
更多
制造厂商:
宝英电源 (Powerex)
鲁光 (LGE)
恩智浦 (NXP)
赛尔集团 (CEL)
西门子 (Siemens)
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
正芯半导体 (RealChip)
中央半导体 (Central)
赛米奇公司 (SemiQ)
合科泰 (Hottech)
金开盛 (JKSEMI)
永裕泰 (YONGYUTAI)
领先线性器件 (Advanced Linear)
钜兴 (JUXING)
瑞隆源 (RUILON)
EIC半导体公司 (EIC)
哈利斯 (HARRIS)
安世半导体 (Nexperia)
扬杰 (YANGJIE)
东芝 (Toshiba)
华科 (HUAKE)
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
伯恩半导体 (BORN)
马坎 (MACOM)
力特 (Littelfuse)
美国电源集成公司 (Power Integrations)
齐洛格 (Zilog)
快达 (Crydom)
桑德斯 (SMC)
佑风微 (YFW)
达尔科技 (Diodes rporated)
德昌 (TC)
固锝 (GOOD-ARK)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
德州仪器 (Texas)
Multicomp (Multicomp)
固态公司 (Solid State )
杰盛微 (JSMSEMI)
蓝箭 (BLUE ROCKET)
博通 (Broadcom)
安世 (Nexperia)
维攀微 (WPMtek)
萨科微 (Slkor)
浪涌元件公司 (SURGE)
基因半导体公司 (GeneSiC)
晶瓷 (KYOCERA AVX)
富信 (FOSAN)
森美特 (SUNMATE)
森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom)
乐山无线电 (LRC)
微型商业组件 (Micro)
英飞凌 (Infineon)
HY电子 (HY)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
台冠电子 (TDD)
安盛美 (onsemi)
意法半导体 (STMicroelectronics)
威世二极管 (Vishay General)
马康 (MACOM)
松下电子元件 (Panasonic)
平伟 (PINGWEI)
菲尼克斯电气 (Phoenix)
迈诺斯 (minos)
强茂 (Panjit)
创维 (SKYWORKS)
微芯 (Microchip)
瑞特隆 (Rectron)
志得 (ZHIDE)
美国柏恩 (Bourns)
南通康比 (HORNBY)
欧普泰克 (TT)
美国微芯 (MICROCHIP)
特瑞仕 (Torex)
时科 (SHIKUES)
NTE电子 (NTE)
罗姆 (Rohm)
DComponents (DComponents)
无锡铭芯微 (MICRO)
艾赛斯.力特 (IXYS)
宝力芯 (PSI)
KUU电子科技 (KUU)
富芯森美 (FUXINSEMI)
桑德斯微电子器件（南京）有限公司 (SMC Diode)
三垦电气株式会社 (Sanken)
先科电子 (Semtech)
台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
威旺 (SEP)
宝乘 (baocheng)
美高森美 (Microsemi)
瑞能 (WeEn)
旭昌辉 (XCH)
江苏长电/长晶 (CJ)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
美森科 (MSKSEMI)
台舟 (TECH PUBLIC)
瑞萨电子 (Renesas)
深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
德欧泰克半导体 (Diotec)
固得沃克 (GOODWORK)
思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
额定电流（单位：安培）:
1.8A PNP，660毫安 N通道
12A
10A
20A
15毫安
8A
150毫安 NPN，50毫安 N通道
500毫安 NPN, 100毫安 N-Channel
6A
500毫安 PNP, 100毫安 N Channel
4A
2A
2.5A，2A
2.6A
80毫安
150毫安
50毫安 NPN, 10毫安 N Channel
100毫安、10毫安
2A PNP，5.47A P-通道
50毫安 NPN, 10毫安 N-Channel
700毫安
600毫安 PNP, 115毫安 N-Channel
500毫安 PNP, 100毫安 N-Channel
15毫安 NPN，10毫安 N通道
100毫安 NPN
600毫安
3A
1A
200毫安 PNP，115毫安 N通道
100毫安 PNP，100毫安 N通道
2.9A
500毫安 NPN, 100毫安 N Channel
400毫安PNP，115毫安
100毫安
100毫安 PNP，160毫安 N通道
600毫安 NPN, 130毫安 P-Channel
2A PNP，3.9A P通道
500毫安
2.5A
50毫安
更多
供应商设备包装:
TO-247-4L HP
DFM
SOT-227
TO-247-4L HV
SMini5-F3-B
RS-4L
15-SIP
6-TSOP
DFS
ISOPLUS i4 PAC
16-PDIP
T-DFN5564-4
4-SOPA
FO-A
FO-B
GSIB-5S
SSMini6-F3-B
EMT6
4-UDFN (3x3)
TS-6P
GBPC
4-SOIC
Mini5-G3-B
PG-SOT-143-3D
PB-6
SSMINI6-F1
TO-5
SSMini6-F2
RS-25M
6-MicroFET (2x2)
4-MicroDIP/SMD
ABS
TSMT8
MBS
4-SDIP
SMD5
WOG
TO-247-4L
SOT-363
PWS-E
55FT
TO-220FP
12-SIP
DB
4-TBS
GBL（2S）
DBF
DBS
D-34
DPAK
SOT-553
V1-B-Pack
DBLS
SOT-26
V-DFN3030-8
4-DFN (3.5x3.8)
DB-M
4-DF
KBPC1
KBPC
GBPC-A
8-DFN (3.3x3.3)
GBPC-W
KBPM
PG-SOT143-4
KBPR
LMBS-1
ECO-PAC1
DB-1
D3K
TO-269AA (MBS)
SDB-1
16-SOIC
SC-74
GBJ
RS-2L
GBL
KBJ
KBL
HDS
DF-S
SC-88A（SC-70-5/SOT-353）
KBP
8-SOIC
GBU
UMT6
4-MiniDIP
UMT5
MBS-1
8-WDFN (3x3)
KBU
5-CPH
BR-6
ABS（Z4）
SOT-143B
SOT-227（同位素）
SOT-563
D-63
U-DFN2020-6 (Type B)
6-HUSON (2x2)
更多
晶体管类别:
1 NPN预偏置，1 NPN
3 NPN
2 NPN（图腾柱）
1个PNP预偏置，1个NPN
2 NPN（双）
NPN，N通道栅极-漏极，源极箝位
2 PNP预偏置（双）
NPN-雪崩模式
NPN预偏置，P通道
2个NPN，2个PNP Darlington（H桥）
2 NPN，PNP
8 NPN Darlington
2 NPN达林顿（双）
4 PNP Darlington (Quad)
1 PNP预偏置，1 PNP
NPN-发射极开关双极
NPN，PNP达林顿（双）
BYSISTOR
3 NPN，3 PNP Darlington（三相桥）
2 PNP-预偏置（双）
2 NPN（双）电流镜
4 NPN Darlington (Quad)
5 NPN
2 PNP-预偏置（双）（发射极耦合）
2 NPN（双）匹配对，公共发射极
4 N通道
1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
NPN，P-通道
PNP预偏置，N通道
7 NPN Darlington
2 PNP（双）电流镜
PNP+二极管（隔离）
4 NPN (Quad) Matched Pairs
NPN、PNP补充Darlington
NPN+齐纳二极管（隔离）
NPN、PNP（公共基础）
NPN+二极管（隔离）
2 NPN，2 PNP
2个NPN，2个PNP（H桥）
NPN，PNP
3 NPN+2 PNP
6 NPN Darlington
NPN-达林顿
1个NPN预偏置，1个PNP
PNP，P通道
4 PNP (Quad)
PNP，N通道
3 PNP达林顿（发射器耦合）
NPN+FET
2 PNP达林顿（双）
9 NPN Darlington
1个NPN，1个PNP-预偏置（基极-集电极结）
NPN
2 PNP（双）匹配对
PNP预偏置，N通道预偏置
2 NPN-预偏置（双）
NPN、PNP互补
NPN+PNP（发射极耦合）
4 NPN, 1 PNP Darlington
NPN+PNP
2 PNP（双）
2 NPN（双）公共发射极
5 PNP
即插即用
3 PNP Darlington，3 N通道（三相电桥）
3 NPN达林顿（发射器耦合）
2 PNP（双）匹配对，公共发射极
6 NPN
2 NPN，基极-集电极结
2 NPN（双）公共基极
2个N通道（双通道）
NPN、PNP（发射极耦合）
2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合）
2个NPN，1个PNP-预偏置
4 NPN (Quad)
PNP-达林顿
3 PNP
2 NPN（双）配对
NPN，N通道
更多

类别

当前"分立半导体"共 162002 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
IXGH40N60A 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥74.48497	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥74.48497	添加到BOM 立即询价
AUIRGF65G40D0	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 62 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥42.58825	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,214.58910	添加到BOM 立即询价
IXEH25N120D1 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 200瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥109.77339	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥109.77339	添加到BOM 立即询价
DF1400R12IP4D 英飞凌 (Infineon)	DFXR12F - IGBT MODULE	¥4,585.69728	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥4,585.69728	添加到BOM 立即询价
SGP23N60UFTU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥18.54182	172	5-7 工作日	- + 合计: ¥18.54182	添加到BOM 立即询价
NGTB15N60S1EG 安盛美 (onsemi)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 117瓦供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥19.87337	1	2-3 工作日	- + 合计: ¥19.87337	立即购买加入购物车
IXGH40N60B 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥98.73521	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥98.73521	添加到BOM 立即询价
IGC70T120T8RQ 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏供应商设备包装: Die	¥52.92532	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥52.92532	添加到BOM 立即询价
IXEH40N120 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 300瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥18.93294	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥18.93294	添加到BOM 立即询价
STGP15M120F3 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥44.76112	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥44.76112	添加到BOM 立即询价
STGB35N35LZ-1 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 345伏最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥18.83154	951	5-7 工作日	- + 合计: ¥18.83154	添加到BOM 立即询价
IXGH40N60C 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥35.96824	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥35.96824	添加到BOM 立即询价
NGTB20N120LWG 安盛美 (onsemi)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 192瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.58864	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,738.29600	添加到BOM 立即询价
IRG7PH46UD-EP	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 390瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥45.70270	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,828.10796	添加到BOM 立即询价
IXEH40N120D1 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 300瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥29.44481	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.44481	添加到BOM 立即询价
STGP10NC60S 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 21A 最大功率: 62.5 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥18.83154	885	5-7 工作日	- + 合计: ¥18.83154	添加到BOM 立即询价
IXGH41N60 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 76 A 最大功率: 200瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥18.41113	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥18.41113	添加到BOM 立即询价
NGTB25N120LWG 安盛美 (onsemi)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 192瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.74750	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,912.12560	添加到BOM 立即询价
IXER60N120 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: 等值线247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥151.18887	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥151.18887	添加到BOM 立即询价
STGB20N40LZ 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 390伏最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 150瓦供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥19.33854	391	5-7 工作日	- + 合计: ¥19.33854	添加到BOM 立即询价

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