场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A、700毫安 供应商设备包装: X2-DFN1310-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 23340 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 39000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.15886 | 133062 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,112.60907 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥5.14246 | 17000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A(Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.70789 | 5900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SC-59 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.15886 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,240.08411 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.35975 | 3090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.35975 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SO | ¥1.44858 | 14637 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 19149 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.88653 | 2368 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.88653 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、120毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.59344 | 382599 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.66912 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 12067 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc)、30A(Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.50460 | 4999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 192629 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,138.46623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 8482 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.2A(Ta) 供应商设备包装: V-DFN2050-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.59006 | 93 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.59006 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.95558 | 92860 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.89762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS MOSFET N-CH 30V 3PIN(3+TAB | ¥5.21489 | 3585 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 |