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什么是场效应晶体管阵列:

场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。

工作温度:
  • 0摄氏度~70摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TJ)
  • -25摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -55摄氏度~125摄氏度
  • 175摄氏度
  • -55摄氏度~150摄氏度(TA)
  • 0摄氏度~70摄氏度
  • -50摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TA)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TC)
  • -20摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TA)
  • -55摄氏度~150摄氏度
  • -55摄氏度~155摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度
更多
漏源电压标 (Vdss):
  • 10.6伏
  • 800V
  • 28伏
  • 200伏
  • 16伏
  • 24伏
  • 12伏
  • 20伏
  • 190伏
  • 40伏
  • 25伏、30伏
  • 150伏
  • 500V
  • 62V
  • 50V
  • 70V
  • 8V
  • 90V
  • 1700伏(1.7千伏)
  • 700V
  • 1000V(1千伏)
  • 30V, 20V
  • 100伏
  • 30V, 12V
  • 55V, 30V
  • 25伏
  • 60V, 50V
  • 33伏
  • 45伏
  • 12伏、20伏
  • 55V
  • 240伏
  • 450伏
  • 75V
  • 20伏、12伏
  • 60V, 100V
  • 650V
  • 30V, 8V
  • 400伏
  • 30V, 25V
  • 10伏
  • 30伏
  • 40V, 200V
  • 25伏、12伏
  • 120伏
  • 60V
  • 80V
  • 300伏
  • 900V
  • 15伏
  • 35伏
  • 60V, 20V
  • 50V, 30V
  • 250伏
  • 600V
  • 85V
  • 1200V(1.2千伏)
  • 60V, 300V
  • 20伏、8伏
  • 100V、80V
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
  • 193A(Tc)
  • 6.5A (Ta)
  • 10A
  • 50A
  • 8A
  • 600毫安, 500毫安
  • 2.4A、1.7A
  • 2.6A
  • 1.9A
  • 6.2A (Ta)
  • 6A (Ta)
  • 590毫安
  • 3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
  • 4.8A
  • 5.5A
  • 3.3A
  • 23A
  • 11A
  • 3.8A (Ta)
  • 40毫安, 16毫安
  • 9A
  • 600毫安
  • 100A(Tj)
  • 2.7A,2A
  • 2.2A(Ta)
  • 2.7A
  • 400毫安
  • 4.9A (Ta)
  • 8.6A, 7.3A
  • 4.9A
  • 120A(Tc)
  • 5.6A
  • 3.4A
  • 4A (Ta)
  • 16A、28A
  • 2A
  • 3.5A
  • 4.2A
  • 2.8A
  • 1.5A、1.3A
  • 700毫安 (Tc)
  • 1.3A
  • 7.1A
  • 5A (Ta)
  • 2.17A、1.64A
  • 3.98A, 3.36A
  • 7.2A (Ta)
  • 4.3A
  • 3.6A
  • 2.9A
  • 100毫安
  • 5.8A
  • 8.7A
  • 6.5A
  • 2.9A、2.1A
  • 4A
  • 450毫安, 310毫安
  • 3.7A
  • 6.6A
  • 39A
  • 27A
  • 15A
  • 1.5A
  • 5.5A, 5.8A
  • 2A,1.5A
  • 5A
  • 5.8A (Ta)
  • 5.2A
  • 7A (Ta)
  • 2.5A(Ta)
  • 3.8A
  • 5A, 4A
  • 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
  • 10A(Ta)、40A(Ta)
  • 4.5A
  • 300A (Tc)
  • 20A
  • 60A
  • 6A
  • 1.7A
  • 200毫安
  • 3.9A
  • 6.6A, 6.8A
  • 1.9A(Ta)
  • 4.6A
  • 5.3A
  • 6A, 5.5A
  • 8.2A, 32A
  • 9A(Ta)、8.5A(Ta)
  • 80A (Tc)
  • 7A
  • 800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta)
  • 6.5A, 4.2A
  • 140毫安
  • 4.1A, 3.4A
  • 220毫安、200毫安
  • 4.7A
  • 3.2A
  • 5.4A
  • 4.9A, 4.1A
更多
制造厂商:
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 宝英电源 (Powerex)
  • 罗姆 (Rohm)
  • Trinamic 运动控制有限公司 (Trinamic Motion)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • DComponents (DComponents)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 芯源系统 (Monolithic Power)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 威恩半导体有限公司 (WeEn)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 松下 (Panasonic)
  • 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • EPC公司 (EPC)
  • 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 模拟器件公司 (Analog)
  • 领先线性器件 (Advanced Linear)
  • 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 安世 (Nexperia)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 谷峰 (GOFORD)
  • 强茂 (Panjit)
  • 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞特隆 (Rectron)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 广东友台半导体 (UMW)
  • 微型商业组件 (Micro)
更多
场效应管特性:
  • 逻辑电平门,1.2V驱动
  • 逻辑电平门,10V驱动
  • 碳化硅(SiC)
  • 逻辑电平门,4V驱动
  • 耗尽型
  • 逻辑电平门,5V驱动
  • 逻辑电平门
  • 氮化镓
  • 逻辑电平门,2.5V驱动
  • 超级结
  • 标准
  • 逻辑电平门,0.9V驱动
  • 逻辑电平门,1.8V驱动
  • 逻辑电平门,4.5V驱动
  • 逻辑电平门,1.5V驱动
更多
场效应管类型:
  • 2 N通道(半桥)
  • 3 N通道(相支路+升压斩波器)
  • 4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • 4 N-Channel (Half Bridge)
  • 2 N通道(CAS编码)
  • N和P通道
  • 2 N通道(相位支路)
  • 3 N通道,公共门
  • 2个N和2个P通道匹配对
  • 3 N通道(半桥+同步引导)
  • 5 N-Channel (Solar Inverter)
  • 2个P通道(双)公共源
  • 4 P-Channel, Matched Pair
  • 2 P-通道(双)公共漏极
  • 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • 6 N and 6 P-Channel
  • 5 P-Channel, Common Source
  • 2个P通道(双)匹配对
  • 3 N和3 P通道(三相电桥)
  • 2个N通道(双)公共源
  • 2个N和2个P通道(H桥)
  • 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
  • 4 P-Channel
  • 6 N-Channel
  • 4 N通道
  • 2 N通道(双)公共漏极
  • N和P通道,公共漏极
  • 2 N通道(双通道),肖特基
  • 2 N通道(双通道)不对称
  • 2个N和2个P通道
  • 2个P通道(双通道)
  • 4 N-Channel (H-Bridge)
  • 2个N通道(双通道)
  • N和P通道互补
  • 2个N通道(双)匹配对
  • 4 N-Channel, Matched Pair
  • 2 N通道(双降压斩波器)
  • 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
  • 2 N通道
更多
供应商设备包装:
  • 8-VSON (3.3x3.3)
  • PowerDI3333-8
  • 8-SO
  • LFPAK56D
  • PG-DSO-8
  • SC-70-6
  • SOT-353
  • 16-PDIP
  • 8-PQFN (5x6)
  • 5-PTAB (3x2.5)
  • Powerclip-33
  • 6-TSSOP
  • SC75-6 FLMP
  • PowerPAK1212-8双
  • X2-DFN1310-6 (Type B)
  • EMT6
  • SC-88
  • 8-TSSOP
  • SC-88(SC-70-6)
  • DFN1010B-6
  • Module
  • ChipFET
  • SC-74-6, (Mini Mold)
  • 15-ZIP
  • 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 6-UDFN (2x2)
  • ES6
  • 6-MicroFET (2x2)
  • Micro8
  • TSMT8
  • EPM15
  • US6
  • 5-PTAB (5x3.5)
  • Power56
  • SC-75,MicroFET
  • Die
  • 18-BGA(2.5x4)
  • AG-EASY1B-2
  • PowerPAKSO-8双不对称
  • 6-CPH
  • 6-PicoStar
  • 8-Power33 (3x3)
  • SuperSOT-6.
  • PowerPAKSO-8双
  • PowerDI3333-8 (Type D)
  • MicroFET 3x3毫米
  • SOT-363
  • 8-SOP
  • 12-SIP
  • 8-ECH
  • PowerPAK1212-8SCD
  • MicroFET 2x2 Thin
  • 6-SuperMiniMold
  • TUMT6
  • 14-SOIC
  • X2-DFN0806-6
  • 1206-8芯片FET
  • SOT-23-6L
  • SOT-26
  • SuperSOT-8.
  • 8-PowerPair (6x5)
  • DirectFET等距SA
  • SOT-28FL/ECH8
  • V-DFN2050-4
  • 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  • 8-LSON (3.3x3.3)
  • PG-TDSON-8-57
  • 8-PSOP
  • 8-PDIP
  • 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
  • 16-SOIC
  • 8-DFN (3x3)
  • SOT-383FL,EMH8
  • SOT-963
  • PowerDI5060-8
  • 8-PowerPair
  • PG-TDSON-8-4
  • 10-WLCSP(2.98x1.49)
  • 532-FCBGA (23x23)
  • DFN3020B-8
  • 8-SOIC
  • DIRECTFETSA
  • UMT6
  • 8-PowerPair (3.3x3.3)
  • 6-PQFN (2x2)
  • 14-PDIP
  • 6-WSON (2x2)
  • 4-FlipChip
  • 6-WLCSP (1x1.5)
  • SC-59
  • 6-MLP (2x5)
  • SOT-563
  • SC-59-5, Mini Mold
  • TO-252-4
  • U-qfn515-12
  • U-DFN2020-6 (Type B)
  • 6-WLCSP (1.3x2.3)
  • SOT-563F
  • 6-HUSON (2x2)
  • 10-WLCSP(3.54x1.77)
更多
当前"场效应晶体管阵列"共 4485 条相关库存
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描述
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SI7913DN-T1-GE3
SI7913DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

381

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.45779

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NTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A, 13.7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.19848

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

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FDD9409
FDD9409
N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,

¥3.18688

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,185.51787

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FDS4935BZ
FDS4935BZ
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.66347

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NVMFD5C466NLWFT1G
NVMFD5C466NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、52A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.29892

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.29892

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UPA2324T1P-E1-A
UPA2324T1P-E1-A
UPA2324T - MOSFET ARRAY

¥4.34574

30000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.90722

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SI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安, 500毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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ALD114913SAL
ALD114913SAL
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ)

¥37.37336

297

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.37336

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STS4DPF20L
STS4DPF20L
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

125

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.74750

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IRF640ACP001
IRF640ACP001
IRF640A - 200V N-CHANNEL MOSFET

¥5.79432

47328

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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RFD3055RLESM9A
RFD3055RLESM9A
12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,

¥3.18688

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,826.07995

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BUK7K8R7-40EX
BUK7K8R7-40EX
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.85034

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.85034

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FDSS2407
FDSS2407
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

565234

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.58709

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SIZ998BDT-T1-GE3
SIZ998BDT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

17

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.09804

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UPA2756GR-E1-AT
UPA2756GR-E1-AT
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-PSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.79432

22228

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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ALD1107SBL
ALD1107SBL
场效应管类型: 4 P-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ)

¥42.00882

267

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.00882

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SI1553CDL-T1-BE3
SI1553CDL-T1-BE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta), 700毫安 (Tc), 400毫安 (Ta), 500毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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SH8J31GZETB
SH8J31GZETB
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.96479

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.96479

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SH8K4TB1
SH8K4TB1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥12.89236

471

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.89236

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BUK9K45-100E,115
BUK9K45-100E,115
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.85034

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.85034

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