场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 381 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A, 13.7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.19848 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET, | ¥3.18688 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,185.51787 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.66347 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、52A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.29892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
UPA2324T - MOSFET ARRAY | ¥4.34574 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安, 500毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥37.37336 | 297 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.37336 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.74750 | 125 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRF640A - 200V N-CHANNEL MOSFET | ¥5.79432 | 47328 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL, | ¥3.18688 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,826.07995 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.85034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.85034 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 565234 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-PSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 22228 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 P-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥42.00882 | 267 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.00882 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta), 700毫安 (Tc), 400毫安 (Ta), 500毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.96479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 471 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.85034 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.85034 | 添加到BOM 立即询价 |