什么是场效应晶体管阵列:
场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说，FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
工作温度:
- 0摄氏度~70摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~85摄氏度（TJ）
- -25摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度
- -55摄氏度~125摄氏度
- 175摄氏度
- -55摄氏度~150摄氏度（TA）
- 0摄氏度~70摄氏度
- -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TA）
- -40摄氏度～125摄氏度（TC）
- -20摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 125摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度（TA）
- -55摄氏度~150摄氏度
- -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~175摄氏度
更多
漏源电压标 (Vdss):
- 10.6伏
- 800V
- 28伏
- 200伏
- 16伏
- 24伏
- 12伏
- 20伏
- 190伏
- 40伏
- 25伏、30伏
- 150伏
- 500V
- 62V
- 50V
- 70V
- 8V
- 90V
- 1700伏（1.7千伏）
- 700V
- 1000V（1千伏）
- 30V, 20V
- 100伏
- 30V, 12V
- 55V, 30V
- 25伏
- 60V, 50V
- 33伏
- 45伏
- 12伏、20伏
- 55V
- 240伏
- 450伏
- 75V
- 20伏、12伏
- 60V, 100V
- 650V
- 30V, 8V
- 400伏
- 30V, 25V
- 10伏
- 30伏
- 40V, 200V
- 25伏、12伏
- 120伏
- 60V
- 80V
- 300伏
- 900V
- 15伏
- 35伏
- 60V, 20V
- 50V, 30V
- 250伏
- 600V
- 85V
- 1200V（1.2千伏）
- 60V, 300V
- 20伏、8伏
- 100V、80V
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
- 193A（Tc）
- 6.5A (Ta)
- 10A
- 50A
- 8A
- 600毫安, 500毫安
- 2.4A、1.7A
- 2.6A
- 1.9A
- 6.2A (Ta)
- 6A (Ta)
- 590毫安
- 3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
- 4.8A
- 5.5A
- 3.3A
- 23A
- 11A
- 3.8A (Ta)
- 40毫安, 16毫安
- 9A
- 600毫安
- 100A（Tj）
- 2.7A，2A
- 2.2A（Ta）
- 2.7A
- 400毫安
- 4.9A (Ta)
- 8.6A, 7.3A
- 4.9A
- 120A（Tc）
- 5.6A
- 3.4A
- 4A (Ta)
- 16A、28A
- 2A
- 3.5A
- 4.2A
- 2.8A
- 1.5A、1.3A
- 700毫安 (Tc)
- 1.3A
- 7.1A
- 5A (Ta)
- 2.17A、1.64A
- 3.98A, 3.36A
- 7.2A (Ta)
- 4.3A
- 3.6A
- 2.9A
- 100毫安
- 5.8A
- 8.7A
- 6.5A
- 2.9A、2.1A
- 4A
- 450毫安, 310毫安
- 3.7A
- 6.6A
- 39A
- 27A
- 15A
- 1.5A
- 5.5A, 5.8A
- 2A，1.5A
- 5A
- 5.8A (Ta)
- 5.2A
- 7A (Ta)
- 2.5A（Ta）
- 3.8A
- 5A, 4A
- 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
- 10A（Ta）、40A（Ta）
- 4.5A
- 300A (Tc)
- 20A
- 60A
- 6A
- 1.7A
- 200毫安
- 3.9A
- 6.6A, 6.8A
- 1.9A（Ta）
- 4.6A
- 5.3A
- 6A, 5.5A
- 8.2A, 32A
- 9A（Ta）、8.5A（Ta）
- 80A (Tc)
- 7A
- 800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta)
- 6.5A, 4.2A
- 140毫安
- 4.1A, 3.4A
- 220毫安、200毫安
- 4.7A
- 3.2A
- 5.4A
- 4.9A, 4.1A
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 宝英电源 (Powerex)
- 罗姆 (Rohm)
- Trinamic 运动控制有限公司 (Trinamic Motion)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- DComponents (DComponents)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 芯源系统 (Monolithic Power)
- 恩智浦 (NXP)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 威恩半导体有限公司 (WeEn)
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 德州仪器 (Texas)
- 松下 (Panasonic)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- EPC公司 (EPC)
- 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 威世二极管 (Vishay General)
- 模拟器件公司 (Analog)
- 领先线性器件 (Advanced Linear)
- 特朗斯峰 (Transphorm)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 安世 (Nexperia)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 谷峰 (GOFORD)
- 强茂 (Panjit)
- 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 微芯 (Microchip)
- 瑞特隆 (Rectron)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 欧普泰克 (TT)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 广东友台半导体 (UMW)
- 微型商业组件 (Micro)
更多
场效应管特性:
- 逻辑电平门，1.2V驱动
- 逻辑电平门，10V驱动
- 碳化硅（SiC）
- 逻辑电平门，4V驱动
- 耗尽型
- 逻辑电平门，5V驱动
- 逻辑电平门
- 氮化镓
- 逻辑电平门，2.5V驱动
- 超级结
- 标准
- 逻辑电平门，0.9V驱动
- 逻辑电平门，1.8V驱动
- 逻辑电平门，4.5V驱动
- 逻辑电平门，1.5V驱动
更多
场效应管类型:
- 2 N通道（半桥）
- 3 N通道（相支路+升压斩波器）
- 4 N-Channel (Three Level Inverter)
- 4 N-Channel (Half Bridge)
- 2 N通道（CAS编码）
- N和P通道
- 2 N通道（相位支路）
- 3 N通道，公共门
- 2个N和2个P通道匹配对
- 3 N通道（半桥+同步引导）
- 5 N-Channel (Solar Inverter)
- 2个P通道（双）公共源
- 4 P-Channel, Matched Pair
- 2 P-通道（双）公共漏极
- 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- 6 N and 6 P-Channel
- 5 P-Channel, Common Source
- 2个P通道（双）匹配对
- 3 N和3 P通道（三相电桥）
- 2个N通道（双）公共源
- 2个N和2个P通道（H桥）
- 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
- 4 P-Channel
- 6 N-Channel
- 4 N通道
- 2 N通道（双）公共漏极
- N和P通道，公共漏极
- 2 N通道（双通道），肖特基
- 2 N通道（双通道）不对称
- 2个N和2个P通道
- 2个P通道（双通道）
- 4 N-Channel (H-Bridge)
- 2个N通道（双通道）
- N和P通道互补
- 2个N通道（双）匹配对
- 4 N-Channel, Matched Pair
- 2 N通道（双降压斩波器）
- 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
- 2 N通道
更多
供应商设备包装:
- 8-VSON (3.3x3.3)
- PowerDI3333-8
- 8-SO
- LFPAK56D
- PG-DSO-8
- SC-70-6
- SOT-353
- 16-PDIP
- 8-PQFN (5x6)
- 5-PTAB (3x2.5)
- Powerclip-33
- 6-TSSOP
- SC75-6 FLMP
- PowerPAK1212-8双
- X2-DFN1310-6 (Type B)
- EMT6
- SC-88
- 8-TSSOP
- SC-88（SC-70-6）
- DFN1010B-6
- Module
- ChipFET
- SC-74-6, (Mini Mold)
- 15-ZIP
- 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 6-UDFN (2x2)
- ES6
- 6-MicroFET (2x2)
- Micro8
- TSMT8
- EPM15
- US6
- 5-PTAB (5x3.5)
- Power56
- SC-75，MicroFET
- Die
- 18-BGA（2.5x4）
- AG-EASY1B-2
- PowerPAKSO-8双不对称
- 6-CPH
- 6-PicoStar
- 8-Power33 (3x3)
- SuperSOT-6.
- PowerPAKSO-8双
- PowerDI3333-8 (Type D)
- MicroFET 3x3毫米
- SOT-363
- 8-SOP
- 12-SIP
- 8-ECH
- PowerPAK1212-8SCD
- MicroFET 2x2 Thin
- 6-SuperMiniMold
- TUMT6
- 14-SOIC
- X2-DFN0806-6
- 1206-8芯片FET
- SOT-23-6L
- SOT-26
- SuperSOT-8.
- 8-PowerPair (6x5)
- DirectFET等距SA
- SOT-28FL/ECH8
- V-DFN2050-4
- 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
- 8-LSON (3.3x3.3)
- PG-TDSON-8-57
- 8-PSOP
- 8-PDIP
- 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
- 16-SOIC
- 8-DFN (3x3)
- SOT-383FL，EMH8
- SOT-963
- PowerDI5060-8
- 8-PowerPair
- PG-TDSON-8-4
- 10-WLCSP（2.98x1.49）
- 532-FCBGA (23x23)
- DFN3020B-8
- 8-SOIC
- DIRECTFETSA
- UMT6
- 8-PowerPair (3.3x3.3)
- 6-PQFN (2x2)
- 14-PDIP
- 6-WSON (2x2)
- 4-FlipChip
- 6-WLCSP (1x1.5)
- SC-59
- 6-MLP (2x5)
- SOT-563
- SC-59-5, Mini Mold
- TO-252-4
- U-qfn515-12
- U-DFN2020-6 (Type B)
- 6-WLCSP (1.3x2.3)
- SOT-563F
- 6-HUSON (2x2)
- 10-WLCSP（3.54x1.77）
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.77360 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.77360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET | ¥5.88124 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.88124 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.13958 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.13958 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A，3A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.88890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,222.25750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET | ¥126.08440 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.08440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A, 4.8A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.09900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.09900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta), 15A (Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type D) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89339 | 117000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,680.18200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A、2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.35639 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.35639 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta), 15A (Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 (Type D) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89339 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,680.18200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) | ¥910.72225 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥910.72225 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A, 3A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.79432 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.84699 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.84699 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥468.57217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥468.57217 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.60505 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.60505 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.90404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,260.10250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.24146 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.24146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A, 10A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.92237 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,767.09500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.87740 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.87740 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N和2个P通道（H桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 4.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.92794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,319.85500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.39553 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.39553 | 添加到BOM 立即询价 |