场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥12.57367 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.57367 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.93822 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.93822 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A, 5.3A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.12700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,317.51000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL MOSFET | ¥2.75230 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.07088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6L双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.05602 | 514 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.05602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 460毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.59344 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,147.95442 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: SM8 | ¥9.12605 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.12605 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.78031 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.78031 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta), 550毫安 (Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.61825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,854.76200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥51.77515 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,588.75730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安,100毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.82137 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.82137 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 550毫安 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,445.86400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.70453 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.70453 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.73638 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.73638 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.81849 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.81849 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A、36A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.12700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,381.01200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: SM8 | ¥530.33962 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥530.33962 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2 | ¥1.66587 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,560.91738 | 添加到BOM 立即询价 |