品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 192W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.32694 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 180W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥121.82558 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.82558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.84900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.84900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.50871 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,526.14200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.39898 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.39898 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 858W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.30765 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.30765 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.70213 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.70213 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.01362 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.01362 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥29.39169 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.39169 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥77.18034 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.18034 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER MOSFET | ¥7.57086 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,570.85900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.74894 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.74894 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥38.14111 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.14111 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥112.96027 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥112.96027 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥12.58816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.58816 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥70.71968 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.71968 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.72774 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.72774 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 95W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.60265 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥80.48311 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.48310 | 添加到BOM 立即询价 |