1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.30861 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.30861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.47908 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.47908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 114W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.40569 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.40569 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、71A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 105W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥39.14063 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.14063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、82A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.74319 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.74319 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-263CA-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥61.91231 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.91231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETST 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.10629 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.10629 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETST 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96911 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96911 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、69A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETμ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.65243 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.65243 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、59A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥38.99577 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.99577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.42642 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.42642 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta), 25A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSJ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥43.32703 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.32703 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSH 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.08888 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08888 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSH 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.21585 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.21585 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSH 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥101.70480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥101.70480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥40.45884 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.45884 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、39A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.06811 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.06811 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、84A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.30132 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、95A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥73.77618 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.77618 | 添加到BOM 立即询价 |