品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 9108 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.43218 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.08164 | 78555 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.08249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 2341 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Tc） 最大功耗: 2W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 1502 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 | 7549 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、37W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.72189 | 1269 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.72189 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | FLEXTRONICS: XHIC-03A2B-0 | ¥1.30372 | 271897 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3mcph 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 225000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 220303 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.30372 | 124000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥1.30372 | 77500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NFET DPAK 30V 41A 8MO | ¥1.30372 | 40000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 200mW（Ta） 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 125摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.30372 | 2410 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.30372 | 2150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,803.00230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.37615 | 1035562 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET (COMPOUND TYPE) | ¥1.37615 | 182000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | NFET DPAK 30V 41A 8MO | ¥1.37615 | 157500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.37615 | 137500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥1.37615 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 |