品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、49W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.70063 | 70 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.70063 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、44W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.84526 | 70 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.84526 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.95558 | 28944 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 25315 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.43457 | 150000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.43457 | 111000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.43457 | 45000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.96959 | 184994 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.43457 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.41577 | 3466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.41577 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NFET T0220FP JPN | ¥12.38536 | 396 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.45779 | 2888 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.18448 | 1246 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.88641 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | NCH 30MA 15V MOSFET | ¥0.50700 | 144000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.35936 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.53022 | 6325 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.86435 | 9842 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NFET DPAK SPCL 500V TR | ¥1.95558 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A（Tc） 最大功耗: 111W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥63.95481 | 313 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.95481 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 337W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.67910 | 453 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.67910 | 添加到BOM 立即询价 |