品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.17287 | 3260 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 88000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、62W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 2305 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、125W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥29.62346 | 1400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.62346 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.1W（Ta） 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.22889 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.19369 | 2665 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.19368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、45A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、113W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.58960 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 立即购买 加入购物车 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.23129 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 4861 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 1570000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta), 28A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta）、125W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.69349 | 2987 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.69349 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.27331 | 11070 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、60W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 1590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.27331 | 10776 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.56868 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 94753 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.17728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.89716 | 14278 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 34386 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥2.24530 | 51912 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 23123 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 |