品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.13487 | 304 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.13487 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.5A（Tc） 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.36172 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.36172 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.60466 | 446 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.60466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 312.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥53.52503 | 6379 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.52503 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.27052 | 737 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.27052 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NFET DPAK 500V 1.8R | ¥4.85274 | 3150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.37097 | 185 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.37097 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 134.4W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥43.09526 | 577 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.09526 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥57.07405 | 283 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.07405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥58.30535 | 113 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.30535 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 205W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥44.32655 | 428 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.32655 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥45.34055 | 771 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.34055 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥4.92517 | 152600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.59986 | 1642 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.59986 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.16730 | 101 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.16730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 216W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥52.29374 | 403 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.29374 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 2775 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 2625 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | 7111 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 |