品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.20251 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.20251 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），20W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | 4054 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥78.36818 | 450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.36818 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 107500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、42A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 4263 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.6A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.11035 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.11035 | 立即购买 加入购物车 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 96000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.01401 | 84000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 | 14735 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.54902 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.56A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、38W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 | 52468 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.46019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.01401 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.50315 | 31 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.50315 | 立即购买 加入购物车 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.91117 | 75900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72.8A (Tc) 最大功耗: 543W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥142.10570 | 184 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142.10570 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.01401 | 17085 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 29A (Tc) 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.97880 | 12176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.14246 | 4398 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.01401 | 10125 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥3.98360 | 1297372 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 |