品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥30.49261 | 1537 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.9W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 | 177722 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥2.89716 | 7443 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.89716 | 7050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.47659 | 33266 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 4960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、35A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.44378 | 8706 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.98842 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.98842 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、45W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.95318 | 14487 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.95318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 142W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.65387 | 8797 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.65387 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tj） 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.72630 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.72630 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥46.78913 | 3377 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,199.08930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.29653 | 1583 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥47.29614 | 10305 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.29614 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥48.23771 | 2250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.23771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥28.60946 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.31858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.39658 | 10800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.39658 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 329W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥53.52503 | 386 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.52503 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.95558 | 87765 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 |