品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.73350 | 3189 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.73350 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.36215 | 159000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、28W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.79432 | 3631 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.36215 | 108000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 | 5638 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.54902 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.01161 | 2669 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.01161 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | NCH 0.1A 30V MOSFET | ¥0.36215 | 45000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、40W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 4939 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.15647 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 139W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.67508 | 5011 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.23129 | 444000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.15407 | 1945 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.15407 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.17287 | 27500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.51256 | 75 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.51256 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.73830 | 12045 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.38536 | 4935 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.38536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.98801 | 3100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.98801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 | 1152 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | 141000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.73830 | 5750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.2A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、38W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.09804 | 2881 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 |