品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、73W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.10725 | 530 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.10725 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、48W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 27500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 12845 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.98360 | 9939 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、66A（Tc） 最大功耗: 3.2W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.06763 | 3757 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.06763 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.66587 | 4590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、48W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.21249 | 2792 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.21249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、18A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、39W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.28492 | 11903 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.28492 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.73830 | 1023000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.08644 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.73830 | 974000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.79192 | 11432 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.79192 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.22650 | 3561 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 4400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.08644 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、28W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.57703 | 3504 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.57703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.73830 | 87927 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET 30MA 20V | ¥1.08644 | 2427 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,636.77775 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、180W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.62826 | 3086 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.62826 | 添加到BOM 立即询价 |