品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.01401 | 3995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.59344 | 4639 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 22A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.71709 | 42159 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.71709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.01401 | 2900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 118A（Tc） 最大功耗: 503W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥229.38264 | 450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥229.38264 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.08644 | 212000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 118A（Tc） 最大功耗: 503W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥243.28901 | 443 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥243.28901 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.18688 | 23100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.08644 | 102000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.56063 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.56063 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 | 168000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 91923 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 | 72000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），20W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 522500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.08644 | 73490 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 | 53346 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | GAAS MOSFET AMPLIFIER | ¥2.10044 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 142A（Tc） 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥296.66918 | 115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥296.66918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3mcph 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.08644 | 33000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 |