品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.34574 | 7418 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 6-SCH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 | 115000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-SCH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 | 90000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 105伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta), 41A (Tc) 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.29653 | 2267 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.29653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.02801 | 1700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta），35W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.97640 | 22227 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 6-SCH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 | 35000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.31053 | 1108 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.31053 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SYNCHRONOUS BUCK MOSFET D | ¥0.65186 | 9329 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥13.18208 | 1308 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.65186 | 5560 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.69148 | 110843 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 5451 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 144W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.70069 | 1892 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.70069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.49060 | 2341 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.95318 | 180160 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 158490 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.72429 | 129000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度 | ¥0.72429 | 114115 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 |