onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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5HP01 - 50V, 70MA, P-CHANNEL MOS | ¥0.65186 | 273000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SINGLE N-CHANNEL SMALL SIGNAL MO | ¥0.65186 | 269117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,094.42939 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA | ¥0.65186 | 264000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MCH6601 - P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.65186 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,249.57231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 990824 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 28136 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥3.47659 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 367720 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,134.41020 | 添加到BOM 立即询价 | ||
4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N | ¥0.79672 | 280000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 161372 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO | ¥0.79672 | 144000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,276.22618 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,216.47226 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 6-SCH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 19650 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、48W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.69388 | 81000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.69473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | ¥3.69388 | 5059 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.22534 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 226984 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL JFET | ¥0.94158 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.15972 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta) 最大功耗: 60W (Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 2505 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.32818 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.15886 | 1119011 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,229.65434 | 添加到BOM 立即询价 |