品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、121A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 238W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥40.70510 | 192 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.70510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 52W (Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.63306 | 185 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.63306 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），55W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.70549 | 4951 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.70549 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.81753 | 1978 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.81753 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、45W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.70549 | 12475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.70549 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥36.79393 | 8092 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,207.63592 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta) 最大功耗: 1.65W（Ta）、65W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥29.11646 | 715 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.11646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A（Tc） 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.85034 | 1256 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.85034 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tj) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.01122 | 790 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.01122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.85034 | 61228 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），33W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FI(LS) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.85034 | 42292 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.06763 | 1338 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.06763 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 23W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.42978 | 628 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SWITCHING DEVICE | ¥9.85034 | 27972 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.45980 | 6399 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.45980 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 184W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.89437 | 445 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.89437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥6.51861 | 7074 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 267A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 211W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥46.42699 | 342 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.42699 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.85034 | 20160 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.85034 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 171W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.25652 | 9297 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.25652 | 添加到BOM 立即询价 |