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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTMFSC004N08MC
NTMFSC004N08MC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Ta), 136A (Tc) 最大功耗: 51W (Ta), 127W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6.15) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.85953

5

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FQP2P40-F080
FQP2P40-F080
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.57463

1924

5-7 工作日

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合计: ¥10.57463

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NTH4LN095N65S3H
NTH4LN095N65S3H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.19810

2245

5-7 工作日

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合计: ¥40.19810

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NTMFS6B03NT1G
NTMFS6B03NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、132A(Tc) 最大功耗: 3.4W(Ta)、165W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.87557

776

5-7 工作日

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合计: ¥47.87557

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FDZ375P
FDZ375P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 4-WLCSP (1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.14927

685

5-7 工作日

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合计: ¥21.14927

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NTMFS5H610NLT1G
NTMFS5H610NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)44A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.79192

1310

5-7 工作日

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合计: ¥10.79192

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FDD8453LZ
FDD8453LZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.4A(Ta),50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.93678

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.93678

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MCH6321-TL-E
MCH6321-TL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 6-MCPH

¥4.20088

1940

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.20088

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NTP082N65S3HF
NTP082N65S3HF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.28453

8

5-7 工作日

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合计: ¥41.28453

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FDP26N40
FDP26N40
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 265W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.72870

1812

5-7 工作日

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合计: ¥21.72870

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FDMC7570S
FDMC7570S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),59W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.87356

2375

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.87356

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FDA50N50
FDA50N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.75503

10

2-3 工作日

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合计: ¥25.75503

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MTB30P06V
MTB30P06V
P-CHANNEL POWER MOSFET

¥3.83874

3870

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.72514

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FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 205W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN (L-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.01842

2507

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合计: ¥22.01842

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FDD26AN06A0-F085
FDD26AN06A0-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.00921

1771

5-7 工作日

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合计: ¥11.00921

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FDMT800120DC
FDMT800120DC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、129A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、156W(Tc) 供应商设备包装: 8-Dual Cool88 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.70030

21

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合计: ¥50.70030

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FQP3N60C
FQP3N60C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.15407

9259

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合计: ¥11.15407

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NTLUS3A40PZTBG
NTLUS3A40PZTBG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

2974

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合计: ¥4.34574

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NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.5A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥64.17209

800

5-7 工作日

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合计: ¥64.17209

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2SK1464
2SK1464
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥43.45740

6645

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.87000

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