品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.49981 | 988 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.30094 | 2998 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.30094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 185A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta），64W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.57224 | 47610 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.57224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 3.3W（Ta），56W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.83634 | 1493 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.02523 | 1539 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.02523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.48820 | 7532 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.79757 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 | 5860 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 231W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.74952 | 3414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.74952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 3.2W（Ta）、70W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.07924 | 1833 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.07924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安（Ta） 最大功耗: 125mW（Ta） 供应商设备包装: SOT-1123 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.65983 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.65983 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 21A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 24W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.29653 | 17368 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.29653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.56063 | 19770 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥9.56063 | 13540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 155A (Tc) 最大功耗: 2.7W（Ta）、156W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.61866 | 2174 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.61866 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.85661 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.85661 | 立即购买 加入购物车 | |
 | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥3.69388 | 7400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.69473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 24W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.96719 | 780 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.96719 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.48820 | 4243 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.48820 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Ta）、70A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.02078 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.02078 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 75A (Tc) 最大功耗: 2.4W（Ta）、54W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.01909 | 150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.01908 | 立即购买 加入购物车 |