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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FQP7N20
FQP7N20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.42978

17167

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.42978

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FDFME3N311ZT
FDFME3N311ZT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UMLP (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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NTP067N65S3H
NTP067N65S3H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.05084

6261

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.05084

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FDH210N08
FDH210N08
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 210A(Tc) 最大功耗: 462W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.39658

631

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.39658

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FQPF9N25C
FQPF9N25C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.79192

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.79192

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FQA90N15
FQA90N15
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥50.48301

315

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.48301

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HUF75321P3
HUF75321P3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.66107

887

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.66107

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2SK3415LS
2SK3415LS
2SK3415LS - MOSFET 40A, 60V, 0.

¥7.53262

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.92602

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FCPF20N60T
FCPF20N60T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.05123

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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NTP6413ANG
NTP6413ANG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.53262

1350

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.92602

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FDP55N06
FDP55N06
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

404

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.95079

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FDMF6704A
FDMF6704A
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,

¥14.63066

182670

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.96804

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NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tj) 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.84795

3850

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.64792

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FDP8447L
FDP8447L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),60W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.31293

411

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.31293

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FQP2N90
FQP2N90
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

657

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.38536

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FQPF5N60C
FQPF5N60C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.47274

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.47274

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FCA20N60-F109
FCA20N60-F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.21009

12150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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FCP21N60N
FCP21N60N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 供应商设备包装: TO-220-3

¥15.42738

6400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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HUF75332P3
HUF75332P3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 145W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.55823

572

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.55823

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NTP5860NG
NTP5860NG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.22410

8566

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- +

合计: ¥2,190.25296

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