品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.70405 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.70405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P(L) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.03434 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.03434 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 最大功耗: 760mW (Ta) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.88172 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.88172 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、104W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥31.36176 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.36176 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | ¥12.73302 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.73302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | PF5102 - N-CHANNEL LOW-FREQUENCY | ¥23.36560 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.36560 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M | ¥16.78904 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.78904 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 144W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.29844 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.29844 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥27.26228 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.26228 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | ¥22.27916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.27916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 1.5W（Ta）、48W（Tj） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥135.90578 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135.90578 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20521 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.20521 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 69A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.05084 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.05084 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 供应商设备包装: DPAK | ¥2.39016 | 14538 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta) 最大功耗: 2.37W (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.16413 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | ¥16.31101 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.31101 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 40V DPAK-3 | ¥73.76169 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.76169 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.1A（Ta）、147A（Tc） 最大功耗: 930毫瓦（Ta），69.44毫瓦（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.73590 | 83020 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta), 48A (Tc) 最大功耗: 920mW（Ta），23.2W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 |