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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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描述
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NVMS4816NR2G
NVMS4816NR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.92085

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.92085

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FDMC86520L
FDMC86520L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、22A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、40W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.62730

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.62730

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NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

24568

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.47265

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NVTE4151PT1G
NVTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89

¥6.96767

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.96767

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NVMFS5C646NLT1G
NVMFS5C646NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、93A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥53.49606

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.49606

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NVTJD4105CT1G
NVTJD4105CT1G
MOSFET 20V 0.63A SC-88

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,741.12073

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FDMC8882
FDMC8882
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、16A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、18W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.91165

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.91165

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NVTJD4158CT1G
NVTJD4158CT1G
MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88

¥6.19992

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.19992

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FDC637AN-NB5E023A
FDC637AN-NB5E023A
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.

¥54.03203

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.03203

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NVTJD4401NT1G
NVTJD4401NT1G
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88

¥6.38824

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.38824

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NVTS4409NT1G
NVTS4409NT1G
MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70

¥13.55871

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.55871

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SBVS138LT1G
SBVS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23

¥48.00594

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.00594

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FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 10.42W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.58624

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.58624

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STD12N10T4G
STD12N10T4G
MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK

¥16.42690

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.42690

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NTLUS3A39PZCTBG
NTLUS3A39PZCTBG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.39601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.39601

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FDD5680
FDD5680
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.65732

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.65732

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STD24N06LT4G
STD24N06LT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 1.36W(Ta),62.5W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥92.07175

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥92.07175

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NTLUS3A90PZCTAG
NTLUS3A90PZCTAG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.79336

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.79336

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NTMFS6B14NT3G
NTMFS6B14NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、77W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.08374

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.08374

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STD25P03LT4G
STD25P03LT4G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.72514

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