品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.80833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.88076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.88076 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 14.9W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20161 | 78 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.20161 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.30132 | 700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.44618 | 768 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.91682 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 15W（Tc） 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.95558 | 26939 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.95558 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER MOSFET FOR MOTOR DRIVERS | ¥7.31533 | 6780 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.96804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | ECH8664R - N-CHANNEL POWER MOSFE | ¥2.02801 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta），19W（Tc） 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 | 4900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.94483 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 73W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.08164 | 461 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、48W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.22650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta) 最大功耗: 1.9W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 35771 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.65952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.37135 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.37135 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.5A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 2.59W（Ta）、33W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 | 7594 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.48704 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.31293 | 392 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.31293 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.24530 | 47000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.84575 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,565.14924 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、54A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.31773 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 |