品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.35299 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.35299 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、22A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、36W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.12366 | 113 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.12366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、52A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.88076 | 620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.88076 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 135W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.95079 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.95079 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.19608 | 992 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.19608 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 92W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.77312 | 6609 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.00169 | 483 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.00169 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A（Tc） 最大功耗: 165W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.21079 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.21079 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.57703 | 1853 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.38436 | 983 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.38436 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、56A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、40W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.26851 | 212 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.26851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.64946 | 79150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta）、49A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 | 2898 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.07003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 | 498 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.41337 | 431 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.41337 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、116A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、113.6W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.42498 | 46 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.42498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.34091 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,333.97942 | 立即购买 加入购物车 |