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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTH4L045N065SC1
NTH4L045N065SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥119.65271

256

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合计: ¥119.65271

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FCB260N65S3
FCB260N65S3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.49741

387

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合计: ¥20.49741

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FDS86267P
FDS86267P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

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NVR5198NLT1G
NVR5198NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.96113

30242

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FDD8444
FDD8444
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 153W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.07003

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合计: ¥1,586.91939

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2SK4097LS
2SK4097LS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FI(LS) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.44378

600

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合计: ¥2,174.31858

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FDC637BNZ
FDC637BNZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

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FDS8880
FDS8880
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

0

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合计: ¥5.28732

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NTHS5441T1G
NTHS5441T1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

406

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合计: ¥7.38776

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FDS8813NZ
FDS8813NZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.31293

1818

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合计: ¥12.31293

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BFL4026-1E
BFL4026-1E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3FS 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.71469

71

5-7 工作日

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合计: ¥20.71469

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FDMS86183
FDMS86183
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

1654

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合计: ¥12.38536

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FDB12N50FTM-WS
FDB12N50FTM-WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Tc) 最大功耗: 165W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.92037

6466

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合计: ¥14.92037

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FQPF10N50CF
FQPF10N50CF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.85955

5783

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合计: ¥20.85955

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NTH4LN019N65S3H
NTH4LN019N65S3H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥147.46544

415

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合计: ¥147.46544

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SFT1445-TL-H
SFT1445-TL-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥7.60505

322

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NTMFS0D8N02P1ET1G
NTMFS0D8N02P1ET1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta), 365A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、139W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.22170

2472

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BSS138LT3G
BSS138LT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.46259

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FDP19N40
FDP19N40
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 215W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.22170

2882

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合计: ¥21.22170

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FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF-WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Tc) 最大功耗: 2.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.50460

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