品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.31773 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,160.12250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥2.39016 | 84000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52.4A (Tc) 最大功耗: 121W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.47179 | 512 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.47179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.66107 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta），20W（Tc） 供应商设备包装: TP-FA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 | 3500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 14.9W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 | 2400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥7.74990 | 8334 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.72274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 480mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88（SC-70-6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 | 44125 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.76275 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | ¥2.46259 | 23899 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.76275 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.26851 | 19 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.26851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Ta), 50A (Tc) 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.95079 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.95079 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NFET D2PAK 500V 1.5R TR | ¥7.82233 | 5600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.61036 | 71 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.61036 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.95079 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.95079 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A（Ta），57.8（Tc） 最大功耗: 3.2W（Ta），77.8W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.09564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.09564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 18A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta）、41W（Tc） 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.09564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.09564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 91W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 | 31 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A（Ta）、79A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta）、68W（Tc） 供应商设备包装: DPAK-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.13611 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.75230 | 12073 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,146.79556 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A（Ta），50A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.31293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.31293 | 添加到BOM 立即询价 |